kpilogo shields

cpsm@kpi.ua
+38 044 204 8430

Методом числового моделювання складного теплообміну досліджено вплив коефіцієнтів поглинання кристалу і розплаву на процес вирощування великогабаритних кристалів галогенидів лужних металів. Розроблена модель враховує радіаційно-кондуктивний теплообмін в кристалі і розплаві у «сірому» наближенні з дифузним відбиванням від границь. У розплаві і газовому середовищі враховується конвективний теплообмін. Показано, що зміна умов радіаційно-кондуктивного теплообміну має значний вплив на основні технологічні параметри процесу вирощування. Розроблена модель дає можливість пояснити покращення стабільності теплових умов росту великогабаритних кристалів за умови збільшення коефіцієнта поглинання у ІЧ області спектру випромінювання.

Посилання на статтю:

The complex heat exchange model at growing of large alkali halide crystals / A. V. Kolesnikov, V. I. Deshko, Yu. V. Lokhmanets, A. Ya. Karvatskii, I. K. Kirichenko // Functional Materials. — 2010. — 17, No.4. — Р. 483—487.

The complex heat exchange model at growing of large alkali halide crystals - Завантажити.